ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-66-69

Полный текст:


Аннотация

Исследован процесс трансформации радиационных дефектов, формируемых имплантацией протонов в кристаллы кремния n−типа проводимости с удельным сопротивлением 100 Ом ⋅ см. Измерения проведены методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Показано, что последовательная имплантация протонов с энергией 100 + 200 + + 300 кэВ и флюенсом 2 ⋅ 1016 см−2 приводит к образованию нарушенного слоя толщиной 2,4 мкм с увеличенным параметром кристаллической решетки, который формируется одновременно присутствующими комплексами радиационных дефектов вакансионного и междоузельного типов. Установлено, что в результате отжига облученных кристаллов в вакууме при температуре 600 °С происходит укрупнение радиационных дефектов обоих типов при одновременном уменьшении их количества. После отжига при температуре 1100 °С преобладают дефекты междоузельного типа. На каждой стадии трансформации дефектов оценена их мощность. 


Об авторах

И. С. Смирнов
Московский институт электроники и математики НИУ ВШЭ
Россия

кандидат физ.−мат. наук, профессор, Московский институт электроники и математики НИУ ВШЭ, 109028, г. Москва, Б. Трехсвятительский пер., д. 3.



И. Г. Дьячкова
Московский институт электроники и математики НИУ ВШЭ
Россия

кандидат физ.−мат. наук, старший преподаватель, Московский институт электроники и математики НИУ ВШЭ, 109028, г. Москва, Б. Трехсвятительский пер., д. 3.



Е. Г. Новоселова
Московский институт электроники и математики НИУ ВШЭ
Россия

кандидат физ.−мат. наук, доцент, Московский институт электроники и математики НИУ ВШЭ, 109028, г. Москва, Б. Трехсвятительский пер., д. 3.



Список литературы

1. Kozlovski i , V. V. Modificirovanie poluprovodnikov puchkami protonov / V. V. Kozlovskii. − S.−Pb. : Nauka, 2003. − 268 s.

2. Zinchuk, O. Formation of insulating oxygen containing layer on the silicon wafer surface using low−temperature hydrogenation / O. Zinchuk, N. Drozdov, A. Fedotov, A. Mazanik, A. Saad, S. Kobe leva, A. Patryn, V. Pilipenko, A. Pushkarchuk // J. Mater. Sci.: Mater. in Electronics − 2008. − V. 19. − P. S273—S276.

3. Gerasimenko, N. N. Radiation defects as nanocrystals in bulk crystalline silicon / N. N. Gerasimenko, V. V. Kozloskii, A. N. Mikhailov // Book of abs. 25−th Internat. Conf. on Defects in Semiconductors. − 2009. − P. 250—251.

4. Bouen, D. K. Vysokorazreshayushaya rentgenovskaya di-fraktometriya i topografiya / D. K. Bouen, B. K. Tanner. − S.−Pb. : Nauka, 2002. − 274 p.

5. Larson, B. C. X−ray diffuse scattering near bragg reflections for the study of clustered defects in crystalline materials / B. C. Lar-son − Diffuse scattering and the fundamental properties of materials. − N.−Y. (NY) : Momentum Press, 2009.

6. Astahov, V. P. Sozdanie narushennyh sloev v kremnii dlya upravleniya harakteristikami p—i—n−fotodiodov / V. P. Astahov, N. V. Kuznetsov, I. G. Saharova, I. S. Smirnov, G. G. Solov’ev, K. V. Sorokin // Izv. vuzov. Materialy elektron. tehniki − 2001. − N 1. − P. 16—19.

7. Lomov, A. A. Asimtoticheskoe diffuznoe rasseyanie rentgenovskih luchei v monokristallah GaAs, legirovannyh kremniem / A. A. Lomov, V. A. Bushuev, R. M. Imamov, K. Bokki, P. Francozi //Kristallografiya. − 1999 − T. 44, N 4. − P. 674—683.

8. Pan, G. Z. Silicon light emissions from boron implant−in-duced defect engineering / G. Z. Pan, R. P. Ostroumov, L. P. Ren, Y. G. Lian, K. L. Wang // J. Non−Crystalline Solids. − 2006. − V. 352. − P. 2506—2509.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Смирнов И.С., Дьячкова И.Г., Новоселова Е.Г. ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(3):66-69. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-66-69

For citation: Smirnov I.S., Dyachkova I.G., Novoselova E.G. HIGH–RESOLUTION X–RAY DIFFRACTOMETRY OF PROTON IRRADIATED SILICON. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(3):66-69. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-66-69

Просмотров: 302

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)