Полноэкранный режим

Для цитирования: Смирнов И.С., Дьячкова И.Г., Новоселова Е.Г. ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(3):66-69. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-66-69

For citation: Smirnov I.S., Dyachkova I.G., Novoselova E.G. HIGH–RESOLUTION X–RAY DIFFRACTOMETRY OF PROTON IRRADIATED SILICON. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(3):66-69. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-66-69

Просмотров: 232

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)