Для цитирования:

Смирнов И.С., Дьячкова И.Г., Новоселова Е.Г. ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(3):66-69. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-66-69

For citation:

Smirnov I.S., Dyachkova I.G., Novoselova E.G. HIGH–RESOLUTION X–RAY DIFFRACTOMETRY OF PROTON IRRADIATED SILICON. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(3):66-69. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-66-69