ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ

И. С. Смирнов; И. Г. Дьячкова; Е. Г. Новоселова

Поиск

Листать

Помощь

Личный кабинет

Язык

Инструменты статьи

Поиск ссылок

Послать статью по эл. почте (Необходимо имя пользователя (логин))

Связаться с автором (Необходимо имя пользователя (логин))

Об авторах

И. С. Смирнов
Московский институт электроники и математики НИУ ВШЭ
Россия

кандидат физ.−мат. наук, профессор, Московский институт электроники и математики НИУ ВШЭ, 109028, г. Москва, Б. Трехсвятительский пер., д. 3.

И. Г. Дьячкова
Московский институт электроники и математики НИУ ВШЭ
Россия

кандидат физ.−мат. наук, старший преподаватель, Московский институт электроники и математики НИУ ВШЭ, 109028, г. Москва, Б. Трехсвятительский пер., д. 3.

Е. Г. Новоселова
Московский институт электроники и математики НИУ ВШЭ
Россия

кандидат физ.−мат. наук, доцент, Московский институт электроники и математики НИУ ВШЭ, 109028, г. Москва, Б. Трехсвятительский пер., д. 3.

Облако тегов гетероструктура гетероструктуры глубокие уровни дефекты ионная имплантация искровое плазменное спекание карбид кремния кремний кремний моделирование монокристалл ниобат лития нитрид галлия первопринципные расчеты пористый кремний пористый кремний рост кристаллов солнечные элементы теллурид висмута тонкие пленки фотолюминесценция

Загрузить этот файл PDF

Полноэкранный режим

Для цитирования: Смирнов И.С., Дьячкова И.Г., Новоселова Е.Г. ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(3):66-69. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-66-69

For citation: Smirnov I.S., Dyachkova I.G., Novoselova E.G. HIGH–RESOLUTION X–RAY DIFFRACTOMETRY OF PROTON IRRADIATED SILICON. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(3):66-69. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-66-69

Обратные ссылки

Обратные ссылки не определены.

Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.

ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)

Логин
Пароль