ИНТЕГРАЛЬНО–ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ТЕРМОСПЕКТРОСКОПИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО РЕЛАКСАЦИИ ИХ ЗАРЯДА
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-58-62
Аннотация
Предложен принципиально новый метод измерения параметров энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводников от 0,07 до 0,4 эВ, основанный на интегрировании релаксирующего заряда этих уровней и дифференцировании интеграла заряда модулированием ширины временного окна импульса напряжения смещения малой амплитуды. Представлен мате- матический аппарат предложенного метода, позволяющий моделировать температурный спектр энергетических уровней. Показано, что определение энергетического положения глубокого уровня возможно при одном проходе температурного сканирования, что снижает трудоемкость эксперимента. Проведено экспериментальное исследование энергетических уровней в светодиодной структуре зеленого свечения на основе AlGaN/InGaN/GaN. Выявлены уровни ∆Et = 0,14 ± 0,01 и ∆Et = 0,2 ± 0,015 эВ предположительно принадлежащие VGa и Mg соответственно.
Об авторе
Ф. И. Маняхин
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия
Россия
доктор физ.−мат. наук, профессор, заведующий кафедрой электротехники и микропроцессорной электроники, ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4
Список литературы
1. Lang, D. V. Deep−level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors / D. V. Lang // J. Appl. Phys. − 1974. − V. 45, N 7. − P. 3023—3032.
2. Sah, C. T. Thermally stimulated capacitance (TSCAP) in p—n−junctions / C. T. Sah, W. W. Chan, H. S. Fu, J. W. Walker // Appl. Phys. Lett. − 1972. − V. 20, N 5. − P. 193—195.
3. Sah, S. T. Thermally simulated capacitance for shallow majority−carrier traps in the edge region of semiconductor junctions / S. T. Sah, J. W. Walker // Ibid. − 1973. − V. 22, N 8. − P. 384—385.
4. Berman, L . S. Emkostnaya spektroskopiya glubokih centrov v poluprovodnikah / L. S. Berman, A. A. Lebedev. − L. : Nauka, 1981. − 76 p.
5. Bougrov, V. Properties of advanced semiconductor materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe / V. Bougrov, M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, A. Zubrilov. − N. Y. : Wiley, 2001. − P. 1—50.
6. Strite, S. GaN, AlN and InN: A Review / S. Strite, H. Morcos // J. Vac. Sci. Tecnol. B. − 1992. − V. 10, N 4. − P. 1237—1266.
7. Manyahin, F. I. Vliyanie rezhimov ekspluatacii svetodiodov na process defektoobrazovaniya v oblasti p−n perehoda i snizhenie kvantovogo vyhoda / F. I. Manyahin // Izv. vuzov. Materialy elektron. tehniki. − 2010. − N 3. − P. 47—51.
Рецензия
Для цитирования:
Маняхин Ф.И. ИНТЕГРАЛЬНО–ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ТЕРМОСПЕКТРОСКОПИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО РЕЛАКСАЦИИ ИХ ЗАРЯДА. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(4):58-62. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-58-62
For citation:
Manyakhin F.I. CHARGE RELAXATION BASED INTEGRAL–DIFFERENTIAL METHOD OF SEMICONDUCTOR ENERGY LEVEL TEMPERATURE SPECTROSCOPY. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(4):58-62. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-58-62
Просмотров:
828
Послать статью по эл. почте 