Резник В. Я., ГНУ «Институт химических проблем микроэлектроники»
Рогалин В. Е., ФГУП «НПО Астрофизика»
Рогалин В. Е., Институт электрофизики и электроэнергетики РАН
Рогалин В. Е., Институт электрофизики и электроэнергетики Российской академии наук
Рогацкий К., Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур, ул. Гайовицкая, д. 95, Вроцлав, 53−421, Польша
Рогило Д. И., Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Роговский Е. С., Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Рогожин А. С., ФГБОУ ВПО «Самарский государственный университет», ул. Акад. Павлова, д. 1, Самара, 443011, Россия
Рогожина Г. А., Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева
Роенков А. Д., ООО «Нитридные кристаллы»
Рождественский Ю. В., Федеральный исследовательский центр «Информатика и управление» Российской академии наук
Рождественский Ю. В., Федеральный исследовательский центр «Информатика и управление»  Российской академии наук
Романов А. Н., Московский государственный университет, Научно–исследовательский вычислительный центр, Москва
Романцов Р. В., Воронежский государственный университет.
Рощупкин Д. В., Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
Рощупкин Д. В., ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН»
Рощупкин Д. В., Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук
Рощупкин Д. В., ФГБУН Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, ул. Акад. Осипьяна, д. 6, Черноголовка, 142432, Россия
Рощупкин Д. В., Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук
Рубан О. А., Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук
Рубан О. А., Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук; МИРЭА – Российский технологический университет
Рубцевич И. И., ОАО «ИНТЕГРАЛ», 220108, Беларусь, Минск, ул. Казинца И.П., 121А
Румянцев В. В., Донецкий физико−технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины
Русак Т. Ф., ОАО «НПП «Пульсар»
Русак Т. Ф., Научно-производственное предприятие «Пульсар», ОАО, Москва

26 - 50 из 59 результатов    << < 1 2 3 > >> 

ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)