По авторам

А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я Все

Р

Рабинович О. И., Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Москва, Россия
Рабинович О. И., ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Рабинович О. И., Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС
Радин Е. Г., ОАО «Металлургический комбинат «Запорожсталь», Украина
Разгуляев И. И., Федеральное государственное предприятие «Научно−производственное предприятие «Пульсар»
Ракыметов Б. А., Физико–технический институт МОН РК, г. Алматы, Казахстан
Рахлин В. И., Иркутский институт химии им. А. Е. Фаворского СО РАН, ул. Фаворского, д. 1, Иркутск, 664033, Россия
Рахметов Б. А., Физико−технический институт МОН РК, Казахстан
Рахметов Б. А., Физико−технический институт, ул. Ибрагимова, д. 11, Алматы, 050032, Республика Казахстан
Редакционная статья
Редкоречев В. И., Институт прикладной физики, Узбекистан
Редько С. В., Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Резник В. Я., ГНУ «ИХПМ»
Резник В. Я., ГНУ «Институт химических проблем микроэлектроники»
Рогалин В. Е., ФГУП «НПО Астрофизика»
Рогацкий К., Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур, ул. Гайовицкая, д. 95, Вроцлав, 53−421, Польша
Роговский Е. С., Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Рогожин А. С., ФГБОУ ВПО «Самарский государственный университет», ул. Акад. Павлова, д. 1, Самара, 443011, Россия
Роенков А. Д., ООО «Нитридные кристаллы»
Романов А. Н., Московский государственный университет, Научно–исследовательский вычислительный центр, Москва
Романцов Р. В., Воронежский государственный университет.
Рощупкин Д. В., Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
Рощупкин Д. В., ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН»
Рощупкин Д. В., Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук
Рощупкин Д. В., ФГБУН Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, ул. Акад. Осипьяна, д. 6, Черноголовка, 142432, Россия

1 - 25 из 34 результатов    1 2 > >>