Телегин А. В., Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук
Тельминов О. А., АО «НИИ молекулярной электроники»
Темиров A. A., Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Темиров А. А., Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Темиров А. А., Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Темирязев A. Г., Фрязинский филиал института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Темпер Э. М., Федеральное государственное предприятие «Научно−производственное предприятие «Пульсар»
Темпер Э. М., Федеральное государственное предприятие «Научно–производственное предприятие «Пульсар»
Темпер Э. М., АО «НПП «Пульсар»
Темпер Э. М., АО «НПП «Пульсар», Окружной проезд, д. 27, Москва, 105187, Россия
Теплов В. С., Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук
Терехов В. А., Воронежский государственный университет
Терехов В. А., Воронежский государственный университет, Университетская пл., д. 1, Воронеж, 394006, Россия
Терехова Ю. С., Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Терещенко А. Н., Институт физики твердого тела РАН, ул. Акад. Осипьяна, д. 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Россия
Терещенко А. Н., Институт физики твердого тела Российской академии наук, ул. Академика Осипьяна, д. 2, Черноголовка, 142432, Россия
Терещенко С. А., Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Тетельбаум Д. И., Научно−исследовательский физико−технический институт Нижегородского государственного университета имени Н. И. Лобачевского
Тетельбаум Д. И., Научно−исследовательский физико−технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского
Тетельбаум Д. И., Научно−исследовательский физико−технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, просп. Гагарина, д. 23, корп. 3, Нижний Новгород, 603950, Россия
Тетерский А. В., ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН»
Тийс С. А., Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук.
Тимаков Д. И., Региональный центр нанотехнологий, Юго−Западный государственный университет, 305040, Россия, Курск, ул. 50 лет Октября
Тимофеев В. А., Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук.
Тимохин В. М., Государственный морской университет имени адмирала Ф. Ф. Ушакова

26 - 50 из 86 результатов    << < 1 2 3 4 > >> 

ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)