Выпуск | Название | |
Том 23, № 2 (2020) | Review on the book Nuclear Doping of Semiconductor Materials (second edition, revised) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
N. A. Sobolev | ||
Том 27, № 2 (2024) | Термовольтаический отклик в двухслойных тонкопленочных структурах на основе оксида цинка | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Макагонов, К. С. Габриельс, Ю. Е. Калинин, А. Ю. Лопатин, Л. А. Близнюк, А. К. Федотов | ||
№ 2 (2013) | О НАКОПЛЕНИИ ПРИМЕСИ В АДСОРБЦИОННОМ СЛОЕ В ПРОЦЕССЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. Ю. Эрвье | ||
"... A kinetic model of the doping processes in molecular beam epitaxy is developed. The dopant ..." | ||
№ 4 (2013) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КИСЛОРОДА И ЭРБИЯ В КРЕМНИИ ПРИ ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. Н. Дроздов, Н. В. Латухина, М. В. Степихова, В. А. Покоева, М. А. Сурин | ||
№ 4 (2013) | СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. В. Быткин, Т. В. Критская, С. П. Кобелева | ||
Том 18, № 3 (2015) | ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Б. М. Середин | ||
"... Characteristics of crystal doping with electrically active impurities by the thermomigration ..." | ||
Том 21, № 3 (2018) | Структура и электрические свойства легированных железом керамик на основе оксида цинка | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Пашкевич, А. К. Федотов, Ю. В. Касюк, Л. А. Близнюк, Ю. А. Федотова, Н. А. Басов, А. С. Федотов, И. А. Свито, Е. Н. Подденежный | ||
"... and residual iron oxides FexOy, used as doping agents. Scanning electron microscopy and energy−dispersive X−ray ..." | ||
Том 22, № 2 (2019) | Транспортные свойства ориентированной и изотропной бумаги из одностенных углеродных нанотрубок | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. С. Галков, Н. П. Степина, М. P. Предтеченский, А. Е. Безродный, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский | ||
"... composing BP and a following iodine doping were applied. The method of extrusion through the narrow (300 µm ..." | ||
Том 21, № 4 (2018) | Влияние легирования на рабочие характеристики диодов Шотки на основе Al0,29Ga0,71As p-типа проводимости, легированного Be | Аннотация похожие документы |
Н. А. Аль-Ахмади, Ф. А. Эбрахим, Х. А. Аль-Джавхари, Р. Х. Мари, М. Хенини | ||
"... . Using three devices with three different doping levels, the barrier height (ΦB), ideality factor (n ..." | ||
Том 26, № 4 (2023) | Исследование процессов диффузии ионов кобальта в кристаллах ортованадата кальция | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. С. Воронина, Е. Э. Дунаева, Л. И. Ивлева, Л. Д. Исхакова, А. Г. Папашвили, М. Е. Дорошенко | ||
"... In this work, the high-temperature diffusion doping method was used for introduction of active ..." | ||
Том 26, № 4 (2023) | Влияние легирования на оптические свойства кристаллов лантан-галлиевого танталата | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Е. В. Забелина, Н. С. Козлова, О. А. Бузанов | ||
"... , 360 and 480 nm. We show that for the crystals grown in an oxygen-free atmosphere, gallium doping ..." | ||
Том 27, № 3 (2024) | Процессы переключения и диэлектрические свойства монокристаллов ниобата бария-стронция, легированных ионами тулия и гольмия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. Л. Кислова, О. Н. Сергеева, М. С. Зварич, П. А. Лыков, Л. И. Ивлева, А. В. Солнышкин | ||
"... and domain structure changes depending on the type and concentration of the doping ions. ..." | ||
№ 3 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин | ||
Том 21, № 3 (2018) | Влияние замещения алюминием на поле эффективной магнитной анизотропии и степень магнитной текстуры анизотропных поликристаллических гексагональных ферритов бария и стронция для подложек микрополосковых приборов СВЧ–электроники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. В. Щербаков, А. Г. Налогин, В. Г. Костишин, А. А. Алексеев, Е. А. Белоконь, И. М. Исаев | ||
1 - 14 из 14 результатов |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)