Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 19, № 4 (2016) | XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ–2016» (12—15 сентября 2016 г., Новосибирск) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| статья Редакционная | ||
| Том 19, № 4 (2016) | «Кремний–2016»: ученые обсудили будущее электроники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. Красин | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ВЛИЯНИЕ ВЫБОРА ПАРАМЕТРОВ ПЕРВОПРИНЦИПНЫХ РАСЧЕТОВ НА ПРЕДСКАЗАНИЯ ЭНЕРГЕТИКИ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. Г. Ганченкова, И. А. Супрядкина, К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин, В. А. Бородин | ||
| "... of microstructures for use in silicon devices allows one to optimize the conditions of their production, improve ..." | ||
| № 2 (2014) | КЛЕТОЧНО–АВТОМАТНАЯ МОДЕЛЬ РАЗДЕЛЕНИЯ ФАЗ ПРИ ОТЖИГЕ СЛОЕВ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКОГО ОКСИДА КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин, С. В. Коробов | ||
| "... variables (x, y, z), taking on 0,1,2 , ..., 255 and corresponding to the number of atoms of silicon ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков | ||
| "... noted that most modern technological focus is the development of nitride heterostructures on silicon ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ОЧИСТКИ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ДО КРЕМНИЯ МАРКИ «СОЛНЕЧНЫЙ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. И. Марончук, И. E. Марончук, Д. Д. Саникович, И. Б. Широков | ||
| "... Experimental results demonstrating the possibility of obtaining solar grade silicon ..." | ||
| Том 23, № 2 (2020) | Review on the book Nuclear Doping of Semiconductor Materials (second edition, revised) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| N. A. Sobolev | ||
| № 3 (2012) | ВЛИЯНИЕ ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ IN SITU НА СТРУКТУРУ НАРУШЕННОГО СЛОЯ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, М. И. Воронова | ||
| "... «Silicon−on−insulator» (SOI) structures irradiated with Ar+ ions with an energy of 100 keV ..." | ||
| № 4 (2012) | НАНОРАЗМЕРНЫЙ КРЕМНИЙ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭЛЕКТРОЛИТА HCl : HF : C2H5OH | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. Н. Пархоменко, А. И. Белогорохов, А. П. Блиев, В. Г. Созанов | ||
| "... Results of experimental work with nanosized silicon (NcSi) samples which are not degraded under ..." | ||
| № 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО ХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Ю. Белик | ||
| "... The paper describes a complex study of chemically etched porous silicon layers ..." | ||
| Том 24, № 1 (2021) | Методы получения трихлорсилана для производства поликристаллического кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Яркин, О. А. Кисарин, Т. В. Критская | ||
| "... polycrystalline silicon processes have been analyzed. The predominant polycrystalline silicon technology ..." | ||
| Том 20, № 1 (2017) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПАЙКИ КРЕМНИЕВЫХ КРИСТАЛЛОВ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В ИХ КОРПУСА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Аносов, Д. В. Гомзиков, М. И. Ичетовкин, Л. А. Сейдман, Р. И. Тычкин | ||
| "... −power silicon transistors manufacturing with retention of their low thermal resistance. To this end we ..." | ||
| № 1 (2014) | О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин | ||
| "... The formation and self−organization of porous silicon (por-Si) surface mosaic structure at long ..." | ||
| № 1 (2013) | ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА IN SITU РЕНТГЕНОВСКОЙ РЕФЛЕКТОМЕТРИИ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. С. Смирнов, Е. Г. Новоселова, А. А. Егоров, И. С. Монахов | ||
| "... on silicon substrates are presented. ..." | ||
| № 2 (2013) | ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ В РАСТВОРЕ ПОЛИАКРИЛОВОЙ КИСЛОТЫ НА ЕГО ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. М. Кашкаров, А. С. Леньшин, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Б. Л. Агапов, В. Н. Ципенюк | ||
| "... Porous silicon (por-Si) has a unique set of physic−chemical properties of characteristics — well ..." | ||
| № 2 (2012) | МЕХАНИЗМЫ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ КРЕМНИЙ–УГЛЕРОДНЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ С НАНОРАЗМЕРНЫМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ ВОЛЬФРАМА В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 20—200 °С | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, М. Д. Малинкович, И. В. Щемеров, О. В. Торопова, Ю. Н. Пархоменко | ||
| "... Temperature dependance of the resistivity of carbon−silicon 1 mkm film containing nanocise ..." | ||
| № 2 (2014) | ФОРМИРОВАНИЕ МАЛОУГЛОВОЙ ГРАНИЦЫ В ВИЦИНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЕ GeSi/Si (001) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Колесников, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, И. Д. Лошкарев | ||
| № 4 (2014) | ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ФОТОЭЛЕКТРОДЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Б. Тыныштыкбаев, В. Б. Глазман, Д. А. Муратов, Б. А. Рахметов, Н. С. Токмолдин, С. Ж. Токмолдин | ||
| "... one of the problems of water photoelectrolysis on silicon electrodes, i.e. their energetic ..." | ||
| Том 27, № 4 (2024) | Направленная кристаллизация твердых растворов Ge1-xSix | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Г. Косушкин, С. И. Супельняк, Е. Н. Коробейникова, В. И. Стрелов | ||
| "... of germanium – silicon, the possibilities of developing the technology of obtaining homogeneous crystals ..." | ||
| № 2 (2014) | ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННОГО СТРОЕНИЯ НАНОСЛОЕВ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ» И ИХ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ С ИЗЛУЧЕНИЕМ НАНОМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Терехов, Д. Н. Нестеров, Э. П. Домашевская, С. Ю. Турищев, Г. Н. Камаев, А. Х. Антоненко | ||
| "... Structures with strained and unstrained silicon layers were studied by ultrasoft X−ray ..." | ||
| № 4 (2014) | ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов | ||
| "... of the silicon photosensitive structures have been represented. The structures included layers of the silicon ..." | ||
| № 1 (2014) | ФОРМИРОВАНИЕ СКВОЗНЫХ СТРУКТУР С РАЗЛИЧНОЙ ПОРИСТОСТЬЮ НА ТОЛСТЫХ ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Юзова, Ф. Ф. Меркушев, Е. А. Ляйком | ||
| "... Through three−layered structure has been formed on silicon wafers 500 microns thick ..." | ||
| № 3 (2012) | ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТИРИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА Si, ПРИ ДЕЙСТВИИ ГАММА–ОБЛУЧЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Быткин, Т. В. Критская, Е. Г. Радин, В. И. Гончаров, Ю. И. Куницкий, С. П. Кобелева | ||
| "... of the reference structures obtained under similar conditions on single crystals of silicon not doped ..." | ||
| № 4 (2012) | НАПРЯЖЕНИЕ И АДГЕЗИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. М. Ткачева, Л. М. Иванова, К. Д. Демаков, М. Н. Шахов | ||
| "... Polycrystalline 3C−SiC films have been grown on silicon substrates by CVD method using ..." | ||
| № 4 (2012) | ВОДОРОДНО–ИНДУЦИРОВАННОЕ СКАЛЫВАНИЕ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Н. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Рахметов, Т. Айтмукан | ||
| "... This paper presents the method for obtaining hidden layers of porous and nonporous silicon ..." | ||
| 1 - 25 из 82 результатов | 1 2 3 4 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
