Полноэкранный режим

Для цитирования: Карпов А.Н., Михантьев Е.А., Усенков С.В., Шварц Н.Л. МОНТЕ—КАРЛО–МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В ДИОКСИДЕ КРЕМНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(1):33-39. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-1-33-39

For citation: Karpov A.N., Mikhantiev E.A., Usenkov S.V., Shwartz N.L. MONTE CARLO SIMULATION OF SILICON NANOCLUSTER FORMATION IN SILICON DIOXIDE. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(1):33-39. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-1-33-39

Просмотров: 261

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)