Для цитирования:
Терехов В.А., Нестеров Д.Н., Домашевская Э.П., Турищев С.Ю., Камаев Г.Н., Антоненко А.Х. ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННОГО СТРОЕНИЯ НАНОСЛОЕВ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ» И ИХ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ С ИЗЛУЧЕНИЕМ НАНОМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(2):81-86. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-81-86
For citation:
Terekhov V.A., Nesterov D.N., Domashevskaya E.P., Turishchev S.Y., Kamaev G.N., Antonenko A.K. Peculiarities of Electronic Structure of Silicon–on–Insulator Structures and Their Interaction with Synchrotron Radiation. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(2):81-86. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-2-81-86
Послать статью по эл. почте 