Полноэкранный режим

Для цитирования: Абгарян К.К., Володина О.В., Уваров С.И. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ НА БАЗЕ МОЛЕКУЛЯРНО–ДИНАМИЧЕСКОГО ПОДХОДА. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015;18(1):37-42. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-37-42

For citation: Abgaryan K.K., Volodina O.V., Uvarov S.I. Mathematical Modeling of Point Defect Cluster Formation in Silicon Based on Molecular Dynamic Approach. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2015;18(1):37-42. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-1-37-42

Просмотров: 458

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)