Для цитирования:
Поклонский Н.А., Горбачук Н.И., Шпаковский С.В., Филипеня В.А., Турцевич А.С., Шведов С.В., Во К., Нгуен Т., Скуратов В.А., Andreas D. СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(1):42-46. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-1-42-46
For citation:
Poklonski N.A., Gorbachuk N.I., Shpakovski S.V., Philipenya V.A., Turtsevich A.S., Shvedov S.V., Vo Q., Nguyen T., Skuratov V.A., Andreas D. DLTS SPECTRA OF SILICON DIODES WITH P+—N–JUNCTION IRRADIATED WITH HIGH ENERGY KRYPTON IONS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(1):42-46. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-1-42-46
Послать статью по эл. почте 