Полноэкранный режим

Для цитирования: Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Середин Б.М. ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015;18(3):179-188. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-3-179-188

For citation: Lozovsky V.N., Lunin L.S., Seredin B.M. FEATURES OF SILICON DOPING BY THE THERMOMIGRATION METHOD. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2015;18(3):179-188. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-3-179-188

Просмотров: 279

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального
образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Адрес: 119049, г. Москва, Ленинский проспект, д. 4 
Телефон: +7 (495) 638-45-31
Email: met.misis@inbox.ru

создано и поддерживается NEICON
(лаборатория Elpub)
powered by PKP OJS