Для цитирования:

Алимов О.М., Аношин К.Е., Наумов А.В. ОСОБЕННОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ НИЗКОДИСЛОКАЦИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015;18(4):240-245. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-4-240-245

For citation:

Alimov O.M., Anoshin K.E., Naumov A.V. FEATURES OF CZ GROWTH OF THE LARGE SIZE LOW DISLOCATION GERMANIUM CRYSTALS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2015;18(4):240-245. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-4-240-245