Для цитирования:

Абгарян К.К., Евтушенко Ю.Г., Мутигуллин И.В., Уваров С.И. МОЛЕКУЛЯРНО–ДИНАМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НАЧАЛЬНЫХ ЭТАПОВ ПРОЦЕССА НИТРИДИЗАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) В Атмосфере NH₃. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015;18(4):267-272. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-4-267-272

For citation:

Abgaryan K.K., Evtushenko Y.G., Mutigullin I.V., Uvarov S.I. MOLECULAR DYNAMIC MODELING OF THE INITIAL STAGES OF Si(111) SURFACE NITRIDIZATION IN NH₃ ATMOSPHERE. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2015;18(4):267-272. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-4-267-272