Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Абгарян К.К., Евтушенко Ю.Г., Мутигуллин И.В., Уваров С.И. МОЛЕКУЛЯРНО–ДИНАМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НАЧАЛЬНЫХ ЭТАПОВ ПРОЦЕССА НИТРИДИЗАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) В Атмосфере NH₃. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015;18(4):267-272. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-4-267-272

For citation:


Abgaryan K.K., Evtushenko Yu.G., Mutigullin I.V., Uvarov S.I. MOLECULAR DYNAMIC MODELING OF THE INITIAL STAGES OF Si(111) SURFACE NITRIDIZATION IN NH₃ ATMOSPHERE. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2015;18(4):267-272. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-4-267-272



Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)