Полноэкранный режим

Для цитирования: Анфимов И.М., Кобелева С.П., Пыльнев А.В., Щемеров И.В., Егоров Д.С., Юрчук С.Ю. К вопросу об определении объемного времени жизни по спаду фотопроводимости на непассивированных образцах монокристаллического кремния. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2016;19(3):210-216. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-3-210-216

For citation: Anfimov I.M., Kobeleva S.P., Pylnev A.V., Schemerov I.V., Egorov D.S., Yurchuk S.V. Free carrier recombination lifetime calculation from photoconductivity decay measurement in non-passivated silicon. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2016;19(3):210-216. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-3-210-216

Просмотров: 219

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)