Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Кобелева С.П., Анфимов И.М., Турутин А.В., Юрчук С.Ю., Фомин В.М. Анализ диффузионных профилей фосфора в легированном галлием германии методом координатно-зависимой диффузии. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2018;21(2):122-128. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2018-2-122-128

For citation:


Kobeleva S.P., Anfimov I.M., Turutin A.V., Yurchuk S.Yu., Fomin V.M. Analysis of diffusion profiles of phosphorus in gallium-doped germanium using method of coordinate-dependent diffusion. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2018;21(2):122-128. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2018-2-122-128

Просмотров: 47


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)