Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Кислюк А.М., Ильина Т.С., Кубасов И.В., Киселев Д.А., Темиров А.А., Турутин А.В., Малинкович М.Д., Полисан А.А., Пархоменко Ю.Н. Формирование стабильных индуцированных доменов в области заряженной междоменной границы в ниобате лития с помощью зондовой микроскопии. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2019;22(1):5-17. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-1-5-17

For citation:


Kislyuk A.M., Ilina T.S., Kubasov I.V., Kiselev D.A., Temirov A.A., Turutin A.A., Malinkovich M.D., Polisan A.A., Parkhomenko Yu.N. Formation of stable induced domains at charged domain boundary in lithium niobate using scanning probe microscopy. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2019;22(1):5-17. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-1-5-17

Просмотров: 149


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)