Для цитирования:

Артамонов А.В., Астахов В.П., Варлашов И.Б., Гиндин П.Д., Евстафьева Н.И., Митасов П.В., Мирошникова И.Н. О природе изменения эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs при выращивании анодного оксидного слоя. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2017;20(2):129-133. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-2-129-133

For citation:

Artamonov A.V., Astakhov V.P., Warlashov I.B., Gindin P.D., Evstafieva N.I., Mitasov P.V., Miroshnikova I.N. About nature of the effective surface charge on InAs crystals transformation during anode oxide layer growing. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2017;20(2):129-133. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-2-129-133