Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Куланчиков Ю.О., Вергелес П.С., Якимов Е.Б. Влияние облучения пучком низкоэнергетических электронов на вольт-фарадные характеристики структуры Al/SiO2/Si. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2019;22(2):112-117. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-2-112-117

For citation:


Kulanchikov Y.O., Vergeles P.S., Yakimov E.B. Low-energy electron beam irradiation effect on Al/SiO2/Si structure voltage-farad characteristics. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2019;22(2):112-117. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-2-112-117

Просмотров: 45


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)