Для цитирования:

Ткаченко В.А., Ткаченко О.А., Бакшеев Д.Г., Сушков О.П. Влияние самоорганизации поверхностного заряда на затворно-индуцированные электронную и дырочную двумерные системы. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2020;23(2):142-150. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2020-2-142-150

For citation:

Tkachenko V.A., Tkachenko O.A., Baksheev D.G., Sushkov O.P. The effect of surface charge self-organization on gate-induced electron and hole two-dimensional systems. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2020;23(2):142-150. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2020-2-142-150