Для цитирования:
Балан Н.Н., Иванов В.В., Кузовков А.В., Соколова Е.В., Шамин Е.С. Основные подходы к моделированию формирования фоторезистивной маски в вычислительной литографии. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2019;22(4):279-289. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-4-279-289
For citation:
Balan N.N., Ivanov V.V., Kuzovkov A.V., Sokolova E.V., Shamin E.S. Basic approaches to photoresist mask formation modeling in computational lithography. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2019;22(4):279-289. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-4-279-289
Послать статью по эл. почте 