Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Мордкович В.Н., Абгарян К.К., Ревизников Д.Л., Леонов А.В. Моделирование полевых элементов Холла на основе наноразмерных гетероструктур «кремний на изоляторе». Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2020;23(2):109-115. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2020-2-109-115

For citation:


Mordkovich V.N., Abgaryan K.K., Reviznikov D.L., Leonov A.V. Simulation of Hall field elements based on nanoscale silicon-on-insulator heterostructures. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2020;23(2):109-115. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2020-2-109-115

Просмотров: 33


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)