An Experimental Study of the Characteristics of Thyristors, Manufactured on CZ–Si
, Under the Action of Gamma–Irradiation
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-45-48
Abstract
Studies of test characteristics of the test thyristor structures based on CZ−Si <P, Ge> exposed to gamma irradiation showed a much higher radiation resistance of this device compared with those of the reference structures obtained under similar conditions on single crystals of silicon not doped with germanium.
About the Authors
S. V. Bytkin
Laboratory of the Thyristor Drive and Radioisotope laboratory of Integrated Iron & Steel Works «Zaporozhstal»
Russian Federation
Russian Federation
T. V. Krytskaja
Zaporozhye State Engineering Academy
Russian Federation
Russian Federation
E. G. Radin
Laboratory of the Thyristor Drive and Radioisotope laboratory of Integrated Iron & Steel Works «Zaporozhstal»
Russian Federation
Russian Federation
V. I. Goncharov
Laboratory of the Thyristor Drive and Radioisotope laboratory of Integrated Iron & Steel Works «Zaporozhstal»
Russian Federation
Russian Federation
J. I. Kunitskij
Laboratory of the Thyristor Drive and Radioisotope laboratory of Integrated Iron & Steel Works «Zaporozhstal»
Russian Federation
Russian Federation
S. P. Kobeleva
National University of Science and Technology MISiS
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Bruemmer, J. E. Schmitz Efficient Design in a DC to DC Converter Unit. / J. E. Bruemmer, F. R. Williams // NASA Technical Memorandum E−13499 prepared for the 37th Intersociety energy conversion engineering conf. [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://gltrs.grc.nasa.gov/reports/2002/TM−2002−211804.pdf
2. Keller, J. Power electronics designers look to the future / J. Keller // Military and aerospace electronics. November. 2002.[Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://mae.pennnet. com/articles/article_display.cfm?Section=ARCHI&C=Feat&ARTICLE_ID=161973&KEYWORDS=Schottky%20QPL&p=32
3. Rausch, R. Electronic components and systems and their radiation qualification for use in the LHC machine / R. Rausch // European laboratory for particle physics, CERN−SL division CERN SL 99−004 (CO). [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://www− project.slac.stanford.edu/lc/local/Radphysics/European_Lab.pdf
4. Ozpineci, B. Comparison of wide−bandgap semiconductors for power electronics applications / B. Ozpineci, L. M. Tolbert // ORNL/TM−2003/257, December 12, 2003 OAK RIDGE NATIONAL LABORATORY Oak Ridge, Tennessee 37831, managed by UT−BATTELLE, LLC for the U.S. DEPARTMENT OF ENERGY under contract No. DE−AC05−00OR22725 [Электронный ресурс]. − Режим доступа: / http://www.ornl.gov/~webworks/cppr/y2001/rpt/118817.pdf
5. Лебедев, А. SiC−электроника: прошлое, настоящее, будущее / А. Лебедев, С. Сбруев // Электроника. Выпуск № 5/2006 Элементная база электроники [Электронный ресурс]. – Режим доступа: / http://www.electronics.ru/issue/2006/5/4
6. Dyer, C. S. Space radiation effects for future technologies and missions / C. S Dyer, G. Hopkinson (Rep.ref.QINETIQ/KI/SPACE/TR010690/1.1) [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http:// reat.space.qinetiq.com/Reat/wp1_tn/Document_text.html
7. Bytkin, S. V. Silicon doped with germanium (n−Si<Ge>) usage for manufacturing of radiation hardened devices and integrated circuits / S. V. Bytkin // 4th Europ. Conf. on radiation and its effects on components and systems Proc. Cannes (France). − 1997. − Р. 141—146.
8. ГОСТ 19138.0−85. Тиристоры. Общие требования к методам измерения параметров. [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://gosts.skgvh.ru/Index/20/20337.htm
9. ГОСТ 19138.6−86. Тиристоры. Методы измерения электрических параметров. [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://gosts.skgvh.ru/Index/12/12223.htm
10. Критская, Т. В. Управление свойствами и разработка промышленной технологии монокристаллического кремния для электроники и солнечной энергетики / Т. В. Критская // Дисс. … докт. техн. наук. − Запорожье, 2006. − 375 с.
11. Быткин, С. В. Материалы и процессы в технологии кремниевых приборов, устойчивых к действию ионизирующих излучений: анализ эффективности применения / С. В. Быткин, О. В. Быткина. − Запорожье: Изд−во ЗГИА, 1997. − 84 с.
12. Кузьмин, В. А. Четырехслойные полупроводниковые приборы / В. А. Кузьмин, К. Я. Сенаторов. − М. : Энергия, 1967. − 184 с.
13. Вологдин, Э. Н. Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов / Э. Н. Вологдин, А. П.Лысенко. − М., 2001. [Электронный ресурс]. − Режим доступа: // http://window.edu.ru/window/library?p_rid=55864
14. О Федеральной целевой программе «Национальная технологическая база» на 2007—2011 годы (в ред. Постановления Прави- тельства РФ от 26.11.2007 № 809) . [Электронный ресурс]. – Режим доступа: //http://www.intpark.noolab.ru/uploads/1245030251.doc
15. Вологдин, Э. Н. Радиационная стойкость биполярных транзисторов / Э. Н. Вологдин, А. П. Лысенко. − М., 2000. [Электрон-ный ресурс]. − Режим доступа: // http://window.edu.ru/window/ library?p_rid=558643
16. Герлах, В. Тиристоры / В. Герлах − М. : Энергоатомиздат, 1985. − 345 с.
Review
For citations:
Bytkin S.V.,
Krytskaja T.V.,
Radin E.G.,
Goncharov V.I.,
Kunitskij J.I.,
Kobeleva S.P.
An Experimental Study of the Characteristics of Thyristors, Manufactured on CZ–Si
Views:
977
Email this article 