ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВОГО КАСКАДА ТРЕХКАСКАДНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ФОСФОРА В ГЕРМАНИИ
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-48-50
Аннотация
Методом МОС−гидридной эпитаксии изготовлены структуры In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P/Ge, представляющие собой первый каскад трехкаскадных солнечных элементов AIIIBV/Ge.
P—n−переход сформирован диффузией фосфора в германий, легированный галлием. Методом ВИМС получены профили фосфора и галлия в германии. Показано, что изменение потока фосфина не влияет на характер распределения фосфора и глубину p—n−перехода в германиевом каскаде.
P—n−переход сформирован диффузией фосфора в германий, легированный галлием. Методом ВИМС получены профили фосфора и галлия в германии. Показано, что изменение потока фосфина не влияет на характер распределения фосфора и глубину p—n−перехода в германиевом каскаде.
Об авторах
С. П. Кобелева
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук, доцент, НИТУ «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4
И. М. Анфимов
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия
Россия
инженер, НИТУ «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4
Б. В. Жалнин
Научно–производственное предприятие «Квант»
Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук, НПО «Квант», г. Москва
О. В. Торопова
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Россия
Россия
научный сотрудник, НИТУ «МИСиС», 119049, г. Москва, Ленинский пр−т, д. 4
Т. В. Критская
Запорожская государственная инженерная академия, Украина
Россия
Россия
доктор техн. наук, профессор, Запорожская государственная инженерная академия, Украина, 69006, г. Запорожье, просп. Ленина, д. 226
Список литературы
1. Калюжный, Н. А. Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge / Н. А. Калюжный, А. С. Гудовских, В. В. Евстропов, В. М. Лантратов, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, В. М. Андреев // ФТП. − 2010. − Т. 44, № 11. − С. 1568—1576.
2. Кобелева, С. П. Диффузия фосфора в германии на границе наногетероструктуры InGaP/Ge / С. П. Кобелева, Д. А. Кузьмин, С. Ю. Юрчук, В. Н. Мурашев, И. М. Анфимов, И. В. Щемеров, Б. В. Жалнин // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2011.− № 2. − С. 56—60.
3. Малкович, Р. Ш. К анализу координатно−зависимой диффузии / Р. Ш. Малкович // ЖТФ. − 2006. − Т. 76, № 2. − С. 137—140.
Рецензия
Для цитирования:
Кобелева С.П., Анфимов И.М., Жалнин Б.В., Торопова О.В., Критская Т.В. ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВОГО КАСКАДА ТРЕХКАСКАДНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ФОСФОРА В ГЕРМАНИИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(3):48-50. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-48-50
For citation:
Kobeleva S.P., Anfimov I.M., Zhalnin B.V., Toropova O.V., Kritskaya T.V. Effect of Three–Tandem Solar Cell First Tandem Formation Conditions on Phosphorus Distribution in Germanium. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(3):48-50. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-48-50
Просмотров:
850
Послать статью по эл. почте 