Effect of Three–Tandem Solar Cell First Tandem Formation Conditions on Phosphorus Distribution in Germanium
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-48-50
Abstract
In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P /Ge structures for the first tandem of three−tandem A3B5/Ge solar cells were synthesized using MOS hydride epitaxy. The p—n–junction was formed by boron diffusion into gallium doped germanium. Phosphorus and gallium profiles in germanium were measured using SIMS. We show that
changes in the phosphine flow do not affect the phosphorus distribution and the p—n–junction depth in the germanium stage.
About the Authors
S. P. Kobeleva
National University of Science and Technology MISiS
Russian Federation
Russian Federation
I. M. Anfimov
National University of Science and Technology MISiS
Russian Federation
Russian Federation
B. V. Zhalnin
Kvant Research and Production Company
Russian Federation
Russian Federation
O. V. Toropova
National University of Science and Technology MISiS
Russian Federation
Russian Federation
T. V. Kritskaya
Zaporozhye State Engineering Academy, Ukraine
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Калюжный, Н. А. Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge / Н. А. Калюжный, А. С. Гудовских, В. В. Евстропов, В. М. Лантратов, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, В. М. Андреев // ФТП. − 2010. − Т. 44, № 11. − С. 1568—1576.
2. Кобелева, С. П. Диффузия фосфора в германии на границе наногетероструктуры InGaP/Ge / С. П. Кобелева, Д. А. Кузьмин, С. Ю. Юрчук, В. Н. Мурашев, И. М. Анфимов, И. В. Щемеров, Б. В. Жалнин // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2011.− № 2. − С. 56—60.
3. Малкович, Р. Ш. К анализу координатно−зависимой диффузии / Р. Ш. Малкович // ЖТФ. − 2006. − Т. 76, № 2. − С. 137—140.
Review
For citations:
Kobeleva S.P., Anfimov I.M., Zhalnin B.V., Toropova O.V., Kritskaya T.V. Effect of Three–Tandem Solar Cell First Tandem Formation Conditions on Phosphorus Distribution in Germanium. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(3):48-50. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-48-50
Views:
853
Email this article 