Для цитирования:
Алёшин А.Н., Зенченко Н.В., Рубан О.А. Моделирование вольт-амперной характеристики мемристора TiN/HfO2/Pt при различной толщине токопроводящего канала. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2021;24(2):79-87. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-2-79-87
For citation:
Aleshin A.N., Zenchenko N.V., Ruban O.A. Simulation of TiN/HfO2/Pt memristor I–V curve for different conductive filament thickness. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2021;24(2):79-87. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2021-2-79-87
Послать статью по эл. почте 