ВЛИЯНИЕ СВОЙСТВ СЛОЯ КРЕМНИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МДП/КНС–СТРУКТУР

Исследовано влияние особенностей эпитаксиального слоя кремния, а также самой границы кремний—сапфир в структурах кремний-на-сапфире (КНС) на емкостные параметры МДП-структур, сформированных на КНС с субмикронными слоями кремния. В процессе исследований выявлено наличие сильной частотной зависимости емкостных характеристик тестовых МДП−структур, формируемых на таких КНС. Экспериментально показано, что С—V-характеристики тестовых структур в большей степени определяются размерами и конфигурацией кремниевого слоя МДП-структур а также концентрацией глубоких компенсирующих уровней в пограничном слое у границы кремний—сапфир. В частности, показано, что значительные изменения частотно-емкостных зависимостей при переходе от тестов, сформированных на стандартных КНС, к тестам на КНС с перекристаллизованным слоем кремния связаны с наличием большой концентрации глубоких компенсирующих уровней в пограничном слое у границы кремний—сапфир для стандартных КНС-структур.

1. Nakamura, T. Silicon on sapphire (SOS) device technology / T. Nakamura, H. Matsuhashi, Y. Nagatomo // Oki Techn. Rev. – 2004. – Iss. 200. – V. 71, N 4. – Р. 66—69.

2. Мустафаев, Aб. Г. Исследование гетероэпитаксии кремния на сапфире при создании транзисторных структур / Aб. Г. Мустафаев, Г. А. Мустафаев, Ар. Г. Мустафаев // Нано-и микросистемная техника. – 2011. – № 8. – С. 41—43.

3. Александров, П. А. Особенности процесса твердофазной рекристаллизации аморфизированных ионами кислорода структур кремний-на-сапфире / П. А. Александров, К. Д. Демаков, С. Г. Шемардов, Ю. Ю. Кузнецов // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, вып. 5. – С. 627—629.

4. Jaron, G. Application of laser annealing techniques to increase channel mobility in silicon on sapphire transistors / G. Jaron, L. D. Hess // Appl. Phys. Lett. – 1980. – V. 36, N 3. – Р. 220.

5. Алябьев, И. В. Состояние и проблемы КНС−технологии / И. В. Алябьев, Н. И. Блецкан, В. С. Папков // Электронная промышленность. – 1983. – Вып. 1(118). – С. 47—51.

6. Сhristoloveanu, S. Electrical characterization techniques for silicon on iInsulator materials and devices / G. Сhristoloveanu // NATO ASI Ser. – 1995. – V. 4. – P. 109—132.

7. Енишерлова, К. Л. Влияние облучения на электрические параметры границы раздела кремний-сапфир в КНС-структурах / К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Е. Л. Шоболов // Электрон. техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. – 2011. – Вып. 2(227). – C. 70—80.

8. Тихов, С. В. Электрофизические свойства тонких слоев кремния на сапфире, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / С. В. Тихов, В. Г. Шенгуров, Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, Е. А. Питиримова, В. Н. Трушин, Е. В. Коротков, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков // Вестн. Нижегородского университета им. Н. И. Лобачевского, Физика твердого тела. – 2010. – № 2(1). – С. 60—65.

9. Neaman, D. Silicon sapphire interface charge trapping-effects of sppphire type and epi growth conditijns / D. Neaman, W. Shedd, B. Buchanan // IEEE Trans. Nucl. Sci. – 1976. – V. NS – 23, N 6. – Р. 1590—1593.

10. Linda, F. H. JFET/SOS Devices−Pawrt II: Gamma-Radiation Induced effects / F. H. Linda, G. Thomas, Z. Zietlow, C. Barnts // IEEE Transactions on Electron Devicts, – 1988. – V. 35, N 3. – P. 359—364.

11. Шулаков, А. С. Свойства межфазовой границы Al2O3/Si / А. С. Шулаков, А. П. Брайко, С. В. Букин, В. Е. Дрозд // ФТТ. – 2004. – Т. 46, вып. 10. – С. 1868—1875.

12. Schwank, J. Tоtal dose effects in MOS devices / J. Schwank // Short Course notebook: Radiation Effects - From Particles to Payloads. IEEE NSREC. – 2002. – Ch. 3. – P. 1—123.

13. Сaгоян, А. В. Особенности формирования и релаксации заряда в КНС-структурах при воздействии ионизирующего излучения / А. В. Сaгоян, Г. Г. Давыдов // Микроэлектроника. – 2011. – Т. 40, № 3. – С. 209—223.