ВЛИЯНИЕ СВОЙСТВ СЛОЯ КРЕМНИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МДП/КНС–СТРУКТУР
Аннотация
Исследовано влияние особенностей эпитаксиального слоя кремния, а также самой границы кремний—сапфир в структурах кремний-на-сапфире (КНС) на емкостные параметры МДП-структур, сформированных на КНС с субмикронными слоями кремния. В процессе исследований выявлено наличие сильной частотной зависимости емкостных характеристик тестовых МДП−структур, формируемых на таких КНС. Экспериментально показано, что С—V-характеристики тестовых структур в большей степени определяются размерами и конфигурацией кремниевого слоя МДП-структур а также концентрацией глубоких компенсирующих уровней в пограничном слое у границы кремний—сапфир. В частности, показано, что значительные изменения частотно-емкостных зависимостей при переходе от тестов, сформированных на стандартных КНС, к тестам на КНС с перекристаллизованным слоем кремния связаны с наличием большой концентрации глубоких компенсирующих уровней в пограничном слое у границы кремний—сапфир для стандартных КНС-структур.
Об авторах
К. Л. Енишерлова
Федеральное государственное предприятие «Научно–производственное предприятие «Пульсар»
Россия
доктор техн. наук, старший научный сотрудник, начальник лаборатории
Россия
доктор техн. наук, старший научный сотрудник, начальник лаборатории
В. Г. Горячев
Федеральное государственное предприятие «Научно–производственное предприятие «Пульсар»
Россия
старший научный сотрудник
Россия
старший научный сотрудник
Э. М. Темпер
Федеральное государственное предприятие «Научно–производственное предприятие «Пульсар»
Россия
старший научный сотрудник
Россия
старший научный сотрудник
С. А. Капилин
Федеральное государственное предприятие «Научно–производственное предприятие «Пульсар»
Россия
техник
Россия
техник
Список литературы
1. Nakamura, T. Silicon on sapphire (SOS) device technology / T. Nakamura, H. Matsuhashi, Y. Nagatomo // Oki Techn. Rev. – 2004. – Iss. 200. – V. 71, N 4. – Р. 66—69.
2. Мустафаев, Aб. Г. Исследование гетероэпитаксии кремния на сапфире при создании транзисторных структур / Aб. Г. Мустафаев, Г. А. Мустафаев, Ар. Г. Мустафаев // Нано-и микросистемная техника. – 2011. – № 8. – С. 41—43.
3. Александров, П. А. Особенности процесса твердофазной рекристаллизации аморфизированных ионами кислорода структур кремний-на-сапфире / П. А. Александров, К. Д. Демаков, С. Г. Шемардов, Ю. Ю. Кузнецов // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, вып. 5. – С. 627—629.
4. Jaron, G. Application of laser annealing techniques to increase channel mobility in silicon on sapphire transistors / G. Jaron, L. D. Hess // Appl. Phys. Lett. – 1980. – V. 36, N 3. – Р. 220.
5. Алябьев, И. В. Состояние и проблемы КНС−технологии / И. В. Алябьев, Н. И. Блецкан, В. С. Папков // Электронная промышленность. – 1983. – Вып. 1(118). – С. 47—51.
6. Сhristoloveanu, S. Electrical characterization techniques for silicon on iInsulator materials and devices / G. Сhristoloveanu // NATO ASI Ser. – 1995. – V. 4. – P. 109—132.
7. Енишерлова, К. Л. Влияние облучения на электрические параметры границы раздела кремний-сапфир в КНС-структурах / К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Е. Л. Шоболов // Электрон. техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. – 2011. – Вып. 2(227). – C. 70—80.
8. Тихов, С. В. Электрофизические свойства тонких слоев кремния на сапфире, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / С. В. Тихов, В. Г. Шенгуров, Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, Е. А. Питиримова, В. Н. Трушин, Е. В. Коротков, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков // Вестн. Нижегородского университета им. Н. И. Лобачевского, Физика твердого тела. – 2010. – № 2(1). – С. 60—65.
9. Neaman, D. Silicon sapphire interface charge trapping-effects of sppphire type and epi growth conditijns / D. Neaman, W. Shedd, B. Buchanan // IEEE Trans. Nucl. Sci. – 1976. – V. NS – 23, N 6. – Р. 1590—1593.
10. Linda, F. H. JFET/SOS Devices−Pawrt II: Gamma-Radiation Induced effects / F. H. Linda, G. Thomas, Z. Zietlow, C. Barnts // IEEE Transactions on Electron Devicts, – 1988. – V. 35, N 3. – P. 359—364.
11. Шулаков, А. С. Свойства межфазовой границы Al2O3/Si / А. С. Шулаков, А. П. Брайко, С. В. Букин, В. Е. Дрозд // ФТТ. – 2004. – Т. 46, вып. 10. – С. 1868—1875.
12. Schwank, J. Tоtal dose effects in MOS devices / J. Schwank // Short Course notebook: Radiation Effects - From Particles to Payloads. IEEE NSREC. – 2002. – Ch. 3. – P. 1—123.
13. Сaгоян, А. В. Особенности формирования и релаксации заряда в КНС-структурах при воздействии ионизирующего излучения / А. В. Сaгоян, Г. Г. Давыдов // Микроэлектроника. – 2011. – Т. 40, № 3. – С. 209—223.
Для цитирования:
Енишерлова К.Л., Горячев В.Г., Темпер Э.М., Капилин С.А. ВЛИЯНИЕ СВОЙСТВ СЛОЯ КРЕМНИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МДП/КНС–СТРУКТУР. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(1):53-60. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-53-60
For citation:
Enisherlova K.L., Goriachev V.G., Temper E.M., Kapilin S.A. INFLUENCE OF SILICON LAYER PROPERTIES ON CAPACITANCE PARAMETERS OF MIS/SOS-STRUCTURES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(1):53-60. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-53-60
Просмотров: 506
Послать статью по эл. почте 