Для цитирования:

Енишерлова К.Л., Горячев В.Г., Темпер Э.М., Капилин С.А. ВЛИЯНИЕ СВОЙСТВ СЛОЯ КРЕМНИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МДП/КНС–СТРУКТУР. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(1):53-60. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-53-60

For citation:

Enisherlova K.L., Goriachev V.G., Temper E.M., Kapilin S.A. INFLUENCE OF SILICON LAYER PROPERTIES ON CAPACITANCE PARAMETERS OF MIS/SOS-STRUCTURES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(1):53-60. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-1-53-60