Отказоустойчивые самосинхронные схемы
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2022-4-298-304
EDN: OVSYUI
Аннотация
Статья исследует проблему создания отказоустойчивых самосинхронных (СС) схем. Использование избыточного СС-кодирования и двухфазной дисциплины работы обеспечивает более высокую сбоеустойчивость СС-схем в сравнении с синхронными аналогами. Использование дублирования канала обработки данных вместо традиционного для синхронных схем троирования позволяет сократить избыточность СС-схем в отказоустойчивом исполнении и обеспечивает более высокий уровень надежности в сравнении с синхронными аналогами.
Ключевые слова
Об авторах
А. А. Зацаринный
Федеральный исследовательский центр «Информатика и управление» Российской академии наук
Россия
Россия
ул. Вавилова, д. 44, корп. 2, Москва, 119333
Зацаринный Александр Алексеевич — доктор техн. наук, главный научный сотрудник
Ю. А. Степченков
Федеральный исследовательский центр «Информатика и управление» Российской академии наук
Россия
Россия
ул. Вавилова, д. 44, корп. 2, Москва, 119333
Степченков Юрий Афанасьевич — канд. техн. наук, руководитель отдела
Ю. Г. Дьяченко
Федеральный исследовательский центр «Информатика и управление» Российской академии наук
Россия
Россия
ул. Вавилова, д. 44, корп. 2, Москва, 119333
Дьяченко Юрий Георгиевич — канд. техн. наук, старший научный сотрудник
Ю. В. Рождественский
Федеральный исследовательский центр «Информатика и управление» Российской академии наук
Россия
Россия
ул. Вавилова, д. 44, корп. 2, Москва, 119333
Рождественский Юрий Владимирович — канд. техн. наук, ведущий научный сотрудник
Л. П. Плеханов
Федеральный исследовательский центр «Информатика и управление» Российской академии наук
Россия
Россия
ул. Вавилова, д. 44, корп. 2, Москва, 119333
Плеханов Леонид Петрович — канд. техн. наук, старший научный сотрудник
Список литературы
1. Викторова В.C., Лубков Н.В., Степанянц А.С. Анализ надежности отказоустойчивых управляющих вычислительных систем. М.: ИПУ РАН; 2016. 117 с. https://www.ipu.ru/sites/default/files/card_file/ VLS.pdf (дата обращения: 08.08.2022).
2. Байков В.Д., Герасимов Ю.М., Петричкович Я.Я., Раннев Н.Ю. Повышение сбоеустойчивости КМОП СФ-блоков смешанного сигнала. Наноиндустрия. 2021; 14(S7(107)): 368—369. https://doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.368.369
3. Hasegava M., Mori S., Ohsugi T., Kojima H., Taketani A., Kondo T., Noguchi M. Radiation damage at silicon junction by neutron irradiation. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1989; (A277): 395—400. https://doi.org/10.1016/0168-9002(89)90768-7
4. Бондарь О.Г. Проектирование радиационно-устойчивых электронных средств: методические указания к практическим занятиям. Курск: Юго-Зап. гос. ун-т; 2018. 52 с. https://swsu.ru/sveden/files/MU_Proektirovanie_radiacionno-ustoychivyx_elektronnyx_sredstv_PZ.pdf
5. Шавенько Н.К. Основы теории информации и кодирования. М.: Изд-во МИИГАиК; 2012. 125 с. https://miigaik.ru/vtiaoai/tutorials/10.pdf
6. Song W., Zhang G. Fault-tolerant asynchronous circuits. In: Asynchronous On-Chip Networks and Fault-Tolerant Techniques. Boca Raton: CRC Press; 2022. 380 p. https://doi.org/10.1201/9781003284789-5
7. Zakharov V., Stepchenko Y., Diachenko Y., Rogdestvenski Y. Self-timed circuitry retrospective. Inter. conf. engineering and computer science (EnT 2020). Moscow, 24–27 June 2020. IEEE; P. 58—64. https://doi.org/0.1109/EnT48576.2020.00018
8. Stepchenkov Y.A., Kamenskih A.N., Diachenko Y.G., Rogdestvenski Y.V., Diachenko D.Y. Improvement of the natural self-timed circuit tolerance to short-term soft errors. Advances in Science, Technology and Engineering Systems Journal. 2020; 5(2): 44—56. https://doi.org/10.25046/aj050206
9. Emeliyanov V.V., Vatuev A.S., Useinov R.G. Impact of heavy ion energy on charge yield in silicon dioxide. IEEE Transactions on Nuclear Science. 2018; 65(8): 1496—1502. https://doi.org/10.1109/TNS.2018.2813669
10. Зацаринный А.А., Степченков Ю.А., Дьяченко Ю.Г., Рождественский Ю.В. Сравнение сбоеустойчивых синхронных и самосинхронных схем. В сб.: Матер. III Междунар. конф. «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов» (ММMЭК–2021). 25–27 октября 2021 г., Москва. М.: МАКС Пресс; 2021. С. 154—156. https://doi.org/10.29003/m2498.ММMSEC-2021/154-156
Рецензия
Для цитирования:
Зацаринный А.А., Степченков Ю.А., Дьяченко Ю.Г., Рождественский Ю.В., Плеханов Л.П. Отказоустойчивые самосинхронные схемы. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2022;25(4):298-304. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2022-4-298-304. EDN: OVSYUI
For citation:
Zatsarinny A.A., Stepchenkov Yu.A., Diachenko Yu.G., Rogdestvenski Yu.V., Plekhanov L.P. Fault-tolerant selt-timed circuits. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2022;25(4):298-304. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2022-4-298-304. EDN: OVSYUI
Просмотров:
495
Послать статью по эл. почте 