Layering of GeSi solid solution on the GaAs and Si substrates
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-8-11
Abstract
The electronic, optical and mechanical properties of heterosystems with Ge1−xSix solid solution films on the GaAs
(x = 0–0.04) and Si (x = 0.75) substrates have been studied. We used electroreflectance modulation spectroscopy for the films and the substrates, classical spectroscopy in the intrinsic absorption region of the films and mechanical stress measurements in the films and in the substrate. We show that the Ge1−xSix films can change composition with the formation of other solid solution structures both during film deposition
and under γ−irradiation. There is a possibility to reduce the mechanical stresses, to improve the electronic parameters of the films and the substrates at the interface, and to produce heterosystems without bending deformation.
About the Authors
E. F. Venger
V. Lashkarov Institute of Semiconductor Physics, the National Academy of Science of Ukraine
Ukraine
Ukraine
L. A. Matveeva
V. Lashkarov Institute of Semiconductor Physics, the National Academy of Science of Ukraine
Ukraine
Ukraine
P. L. Nelyuba
V. Lashkarov Institute of Semiconductor Physics, the National Academy of Science of Ukraine
Ukraine
Ukraine
References
1. Конакова, Р. В. Влияние однородности твердого раствора Ge1−xSix на выход годных ЛПД−диодов / Р. В. Конакова, Л. А. Матвеева, Ю. А. Тхорик // Материалы VI координационного совещания по исследованию и применению сплавов кремний—германий − Тбилиси, 1986. − С. 84.
2. Кардона, M. Модуляционная спектроскопия / M. Кардона − М. : Мир, 1972. − С. 100.
3. Тягай, В. А. Электроотражение света в полупроводниках / В. А. Тягай, О. В. Снитко − Киев: Наукова думка, 1990. − С. 174.
4. Aspnes, D. E. Third−derivate modulation spectroscopy with low−field electroreflectance / D. E. Aspnes // Surf. Sci. − 1973. − V. 28. − P. 418—442.
5. Гофман, Р. У. Физика тонких пленок / Р. У. Гофман − М. : Мир, 1968. − Т. III. − С. 239.
6. Панков, Ж. Оптические процессы в полупроводниках / Ж. Панков − М. : Мир, 1973. − Приложение II. − С. 436.
7. Holiney, R. Yu. Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers / R. Yu. Holiney, L. A. Matveeva, E. F. Venger // Semiconductor phys., quantum electronics and optoelectronics. − 1999. − V. 2, N 4. − P. 10—12.
8. Венгер, Е. Ф. Оптические свойства и энергетический спектр гетеросистемы SixGe1−x/GaAs / Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева // Неорган. материалы. − 1997. − Т. 33, вып. 2. − С. 153—157.
Review
For citations:
Venger E.F., Matveeva L.A., Nelyuba P.L. Layering of GeSi solid solution on the GaAs and Si substrates. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):8-11. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-8-11
Views:
860
Email this article 