РАССЛОЕНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GeSi НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И Si
Аннотация
Изучены электронные, оптические и механические свойства гетеросистем Ge1−xSix на подложках GaAs (х = 0÷0,04) и Si (х = 0,75). Исследования проводили с помощью модуляционной спектроскопии электроотражения света для пленок и подложек, классической спектроскопии в области собственного поглощения пленок, измерения кривизны гетеросистем для определения знака и величины внутренних механических напряжений в них. Установлено изменение состава твердогo раствора с образованием новых структур как в процессе осаждения пленок, так и под влиянием γ−облучения. Найдена возможность уменьшения внутренних механических напряжений и улучшения электронных параметров пленки и подложки на границе раздела, а также получения гетеросистем с твердым раствором без деформации изгиба.
Об авторах
Е. Ф. Венгер
Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины
Украина
Украина
чл.−кор. НАН Украины заведующий отдела, Институт физики полупроводни-
ков им. В. Е. Лашкарёва НАН Украины, Украина, 03028, г. Киев, просп. Науки, д. 41.
Л. А. Матвеева
Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины
Украина
Украина
профессор, главный научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, Украина, 03028, г. Киев, просп. Науки, д. 41
П. Л. Нелюба
Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины
Украина
Украина
научный сотрудник, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, Украина, 03028, г. Киев, просп. Науки, д. 41.
Список литературы
1. Конакова, Р. В. Влияние однородности твердого раствора Ge1−xSix на выход годных ЛПД−диодов / Р. В. Конакова, Л. А. Матвеева, Ю. А. Тхорик // Материалы VI координационного совещания по исследованию и применению сплавов кремний—германий − Тбилиси, 1986. − С. 84.
2. Кардона, M. Модуляционная спектроскопия / M. Кардона − М. : Мир, 1972. − С. 100.
3. Тягай, В. А. Электроотражение света в полупроводниках / В. А. Тягай, О. В. Снитко − Киев: Наукова думка, 1990. − С. 174.
4. Aspnes, D. E. Third−derivate modulation spectroscopy with low−field electroreflectance / D. E. Aspnes // Surf. Sci. − 1973. − V. 28. − P. 418—442.
5. Гофман, Р. У. Физика тонких пленок / Р. У. Гофман − М. : Мир, 1968. − Т. III. − С. 239.
6. Панков, Ж. Оптические процессы в полупроводниках / Ж. Панков − М. : Мир, 1973. − Приложение II. − С. 436.
7. Holiney, R. Yu. Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers / R. Yu. Holiney, L. A. Matveeva, E. F. Venger // Semiconductor phys., quantum electronics and optoelectronics. − 1999. − V. 2, N 4. − P. 10—12.
8. Венгер, Е. Ф. Оптические свойства и энергетический спектр гетеросистемы SixGe1−x/GaAs / Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева // Неорган. материалы. − 1997. − Т. 33, вып. 2. − С. 153—157.
Для цитирования:
Венгер Е.Ф., Матвеева Л.А., Нелюба П.Л. РАССЛОЕНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GeSi НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И Si. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(4):8-11. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-8-11
For citation:
Venger E.F., Matveeva L.A., Nelyuba P.L. Layering of GeSi solid solution on the GaAs and Si substrates. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):8-11. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-8-11
Просмотров: 283
Послать статью по эл. почте 