Полноэкранный режим

Для цитирования: Венгер Е.Ф., Матвеева Л.А., Нелюба П.Л. РАССЛОЕНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GeSi НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И Si. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(4):8-11. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-8-11

For citation: Venger E.F., Matveeva L.A., Nelyuba P.L. Layering of GeSi solid solution on the GaAs and Si substrates. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):8-11. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-8-11

Просмотров: 248

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)