Для цитирования: Пещерова С.М., Павлова Л.А., Непомнящих А.И., Елисеев, И.А., Сокольникова Ю.В. ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ МУЛЬТИКРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО РАФИНИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА—СТОКБАРГЕРА. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(4):12-17. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-12-17

For citation: Pescherova S.M., Pavlova L.A., Nepomnyaschikh A.I., Eliseev I.A., Sokolnikova Y.V. Specific Features of Microinclusion Formation in Multisilicon Crystals Grown from Refined Metallurgical Silicon by the Bridgman–Stockbarger Method. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):12-17. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-12-17