Полноэкранный режим

Для цитирования: Пещерова С.М., Павлова Л.А., Непомнящих А.И., Елисеев, И.А., Сокольникова Ю.В. ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ МУЛЬТИКРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО РАФИНИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА—СТОКБАРГЕРА. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(4):12-17. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-12-17

For citation: Pescherova S.M., Pavlova L.A., Nepomnyaschikh A.I., Eliseev I.A., Sokolnikova Y.V. Specific Features of Microinclusion Formation in Multisilicon Crystals Grown from Refined Metallurgical Silicon by the Bridgman–Stockbarger Method. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):12-17. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-12-17

Просмотров: 255

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)