Для цитирования:

Ким А.С., Серко Н.А., Хакуашев П.Е., Колкий А.Н., Юрчук С.Ю. Применение пленки Al2O3 для стабилизации зарядовых свойств границы раздела SiO2/p-Si. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2023;26(2):148-156. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2023-2-148-156. EDN: OPHQIG

For citation:

Kim A.S., Serko N.A., Khakuashev P.E., Kolky A.N., Yurchuk S.Yu. Application of Al2O3 film for stabilization of charge properties of the SiO2/p-Si interface. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2023;26(2):148-156. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2023-2-148-156. EDN: OPHQIG