Specific Features of Microinclusion Formation in Multisilicon Crystals Grown from Refined Metallurgical Silicon by the Bridgman–Stockbarger Method
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-12-17
Abstract
Specific features of impurity distribution in multisilicon crystals grown from refined metallurgical silicon by the vertical Bridgman−Stockbarger method have been studied. The chemical composition of metallurgical silicon and multisilicon ingots grown under varying crystallization conditions have been analyzed by mass spectrometry with inductively coupled plasma (ICP−MS) and X−ray spectral electron probe microanalysis (RSMA). The size and distribution nature of microinclusions on the polished etched surfaces and chips of multisilicon crystals have been studied. We have revealed multicomponent microinclusions up to 100 micron in size in the multisilicon ingots grown at high crystallization speeds (1.5 cm/h) and low−component microinclusions one micron in size in the multisilicon ingots grown at a crystallization speed of from 0.5 to 1 cm/h.
About the Authors
S. M. Pescherova
Federal State Budget Research Organization A.P. Vinogradov Institute of Geochemistry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences
Russian Federation
Russian Federation
L. A. Pavlova
Federal State Budget Research Organization A.P. Vinogradov Institute of Geochemistry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences
Russian Federation
Russian Federation
A. I. Nepomnyaschikh
Federal State Budget Research Organization A.P. Vinogradov Institute of Geochemistry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences
Russian Federation
Russian Federation
I. A. Eliseev
Federal State Budget Research Organization A.P. Vinogradov Institute of Geochemistry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences
Russian Federation
Russian Federation
Yu. V. Sokolnikova
Federal State Budget Research Organization A.P. Vinogradov Institute of Geochemistry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Непомнящих, А. И. Мультикристаллический кремний для солнечной энергетики / А. И. Непомнящих, В. П. Еремин, Б. А. Красин, И. Е. Васильева, И. А. Елисеев, А. В. Золотайко, С. И. Попов, В. В. Синицкий // Изв. вузов. Материалы электрон. техники.− 2002. − Т. 4. − С. 16—24.
2. Непомнящих, А. И. Особенности роста мультикристаллического кремния из металлургического кремния высокой чистоты / А. И. Непомнящих, Р. В. Пресняков, И. А. Елисеев, Ю. В. Сокольникова // Письма в ЖТФ. − 2011. − Т. 37, вып. 15. − С. 103.
3. Непомнящих, А. И. Способ получения кремния высокой чистоты / А. И. Непомнящих, Б. А. Красин, В. С. Романов, В. П. Еремин, С. С. Коляго, И. А. Елисеев // Пат. РФ № 2131843. Приоритет от 30.03.98; Опубликовано Бюлл. №17 от 20.06.99.
4. Васильева, И. Е. Комплекс методов определения примесей в мультикремнии и продуктах его производства / И. Е. Васильева, Е. В. Шабанова, Ю. В. Сокольникова, О. А. Пройдакова, А. И. Непомнящих, И. Л. Васильев, А. Л. Финкельштейн // Аналитика и контроль. − 2001. − Т. 5, № 1. − С. 24—34.
5. Павлова, Л. А. Исследование мультикристаллов кремния методами электронной микроскопии и электронно−зондового микроанализа / Л. А. Павлова, А. И. Непомнящих, С. М. Пещерова // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. − 2011. − № 10. − С. 37—41.
Review
For citations:
Pescherova S.M., Pavlova L.A., Nepomnyaschikh A.I., Eliseev I.A., Sokolnikova Yu.V. Specific Features of Microinclusion Formation in Multisilicon Crystals Grown from Refined Metallurgical Silicon by the Bridgman–Stockbarger Method. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):12-17. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-12-17
Views:
843
Email this article 