Для цитирования:
Белов А.Г., Каневский В.Е., Кладова Е.И., Князев С.Н., Комаровский Н.Ю., Парфентьева И.Б., Чернышова Е.В. Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации дырок в образцах p-GaAs, легированных цинком. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2023;26(3):171-180. https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202304.525
For citation:
Belov A.G., Kanevskii V.E., Kladova E.I., Knyazev S.N., Komarovskiy N.Yu., Parfent’eva I.B., Chernyshova E.V. Comparison between optical and electrophysical data on hole concentration in zinc doped p-GaAs. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2023;26(3):171-180. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202304.525
Послать статью по эл. почте 