Для цитирования:
Феклистов К.В., Лемзяков А.Г., Шкляев А.А., Протасов Д.Ю., Дерябин А.С., Спесивцев Е.В., Гуляев Д.В., Пугачев А.М., Есаев Д.Г. Барьеры для инжекции электронов и дырок из подложки кремния в ВЧ-магнетронно напыленные пленки In2O3 : Er. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2023;26(3):234-247. https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202305.529
For citation:
Feklistov K.V., Lemzyakov A.G., Shklyaev A.A., Protasov D.Yu., Deryabin A.S., Spesivsev E.V., Gulyaev D.V., Pugachev A.M., Esaev D.G. The barriers for electron and hole injection from Si substrate into the RF magnetron-deposited In2O3 : Er films. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2023;26(3):234-247. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202305.529
Послать статью по эл. почте 