ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-3-8
Аннотация
Представлены результаты исследования влияния имплантации германия в пирогенный оксид на процессы накопления заряда при воздействии ионизирующего излучения. Проведен теоретический анализ процессов встраивания германия в систему «диоксид кремния на кремнии». Показано, что германию энергетически выгодно встраиваться в насыщенный кремнием нестехиометрический оксид (на границе «кремний — диоксид кремния») и формировать нанокластеры в объеме SiO2.
Об авторах
О. Г. Гуськова
ФГУП «Федеральный научно–производственный центр Научно–исследовательский институт
измерительных систем им. Ю. Е. Седакова»
Россия
Россия
инженер−технолог 3 кат., ФГУП «Федеральный научно−производственный центр научно−исследовательский институт измерительных систем им. Ю. Е. Седакова», 603137, г. Н. Новгород, ул. Тропинина, д. 47
М. В. Воротынцев
Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева
Россия
Россия
доктор хим. наук профессор, член научного совета РАН по физико−химическим основам полупроводникового материаловедения, Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева, 603950, г. Н. Новгород,ул. Минина, д. 24
Е. Л. Шоболов
ФГУП «Федеральный научно–производственный центр Научно–исследовательский институт
измерительных систем им. Ю. Е. Седакова»
Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук, начальник сектора, ФГУП «Федеральный научно− производственный центр научно−исследовательский институт измерительных систем им. Ю. Е. Седакова», 603137, г. Н. Новгород, ул. Тропинина, д. 47.
Н. Д. Абросимова
ФГУП «Федеральный научно–производственный центр Научно–исследовательский институт
измерительных систем им. Ю. Е. Седакова»
Россия
Россия
инженер− технолог 2 кат., ФГУП «Федеральный научно−производ ственный центр научно−исследовательский институт измерительных систем им. Ю. Е. Седакова», 603137, г. Н. Новгород, ул. Тропинина, д. 47
Список литературы
1. Никифоров, А. Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС /А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков − М. : Радио и связь, 1994. − 165 с.
2. Barnaby, H. J. Total−ionizing−dose effects in modern CMOS technologies/ H. J. Barnaby // IEEE Transactions on Nuclear Sci. − 2006. − V. 53, N 6. − P. 3103—3121.
3. Николаев, Д. В. Накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний−на−изоляторе при облучении электронами и gamma−квантами/ Д. В. Николаев, И. В. Антонова, О. В. Наумова, В. П. Попов, С. А. Смагулова // Физика и техника полупроводников. − 2003. − Т. 37, вып. 4. − С. 443—449.
4. Пат. США 5.795.813.
5. Гуртов, В. А. Твердотельная электроника / В. А. Гуртов − Петрозаводск : Петр. ГУ, 2004. − 312 с.
6. Frisch M. J. Gaussian 03. Revision C.01 / Frisch M. J., Trucks G. W., Schlegel H. B. et al. − Wallingford (CT) : Gaussian Inc., 2004.
7. Lee, C. Development of the Colle−Salvetti correlation−energy formula into a functional of the electron density / C. Lee, W. Yang, R. G. Parr // Phys. Rev. B. − 1988. − V. 37, Iss. 2. − P. 785—789.
8. Benson, S. W. / S. W. Benson // J. Chem. Educ. − 1965. − V. 42. − P. 502.
9. Baroni, S. / S. Baroni, A. D. Corso, S. D. Gironcoli // Quantum ESPRESSO, ver. 4.0.4.
10. Markwitz, A. Homogeneously size distributed Ge nanoclusters embedded in SiO2 layers produced by ion beam synthesis / A. Markwitz, L. Rebohle, H. Hofmeister, W. Skorupa // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. − 1999. − V. 147. − P. 361—366.
11. Nazarov, A. Trapping of negative and positive charges in Ge+ ion implanted silicon dioxide layers subjected to high−field electron injection / A. Nazarov, T. Gebel, L. Rebohle // J. Appl. Phys. − 2003. − V. 94. − P. 4440—4448.
Рецензия
Для цитирования:
Гуськова О.Г., Воротынцев М.В., Шоболов Е.Л., Абросимова Н.Д. ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(4):28-32. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-3-8
For citation:
Guskova O.P., Vorotynthev V.M., Shobolov E.L., Abrosimova N.D. Influence of Ge Ion Implantation into Silicon Dioxide/Silicon Structure on Charge Accumulation under Low–Energy Stationary Radiation. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):28-32. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-3-8
Просмотров:
854
Послать статью по эл. почте 