ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-3-8
Аннотация
Представлены результаты исследования влияния имплантации германия в пирогенный оксид на процессы накопления заряда при воздействии ионизирующего излучения. Проведен теоретический анализ процессов встраивания германия в систему «диоксид кремния на кремнии». Показано, что германию энергетически выгодно встраиваться в насыщенный кремнием нестехиометрический оксид (на границе «кремний — диоксид кремния») и формировать нанокластеры в объеме SiO2.
Об авторах
О. Г. ГуськоваРоссия
инженер−технолог 3 кат., ФГУП «Федеральный научно−производственный центр научно−исследовательский институт измерительных систем им. Ю. Е. Седакова», 603137, г. Н. Новгород, ул. Тропинина, д. 47
М. В. Воротынцев
Россия
доктор хим. наук профессор, член научного совета РАН по физико−химическим основам полупроводникового материаловедения, Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева, 603950, г. Н. Новгород,ул. Минина, д. 24
Е. Л. Шоболов
Россия
кандидат физ.−мат. наук, начальник сектора, ФГУП «Федеральный научно− производственный центр научно−исследовательский институт измерительных систем им. Ю. Е. Седакова», 603137, г. Н. Новгород, ул. Тропинина, д. 47.
Н. Д. Абросимова
Россия
инженер− технолог 2 кат., ФГУП «Федеральный научно−производ ственный центр научно−исследовательский институт измерительных систем им. Ю. Е. Седакова», 603137, г. Н. Новгород, ул. Тропинина, д. 47
Список литературы
1. Никифоров, А. Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС /А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков − М. : Радио и связь, 1994. − 165 с.
2. Barnaby, H. J. Total−ionizing−dose effects in modern CMOS technologies/ H. J. Barnaby // IEEE Transactions on Nuclear Sci. − 2006. − V. 53, N 6. − P. 3103—3121.
3. Николаев, Д. В. Накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний−на−изоляторе при облучении электронами и gamma−квантами/ Д. В. Николаев, И. В. Антонова, О. В. Наумова, В. П. Попов, С. А. Смагулова // Физика и техника полупроводников. − 2003. − Т. 37, вып. 4. − С. 443—449.
4. Пат. США 5.795.813.
5. Гуртов, В. А. Твердотельная электроника / В. А. Гуртов − Петрозаводск : Петр. ГУ, 2004. − 312 с.
6. Frisch M. J. Gaussian 03. Revision C.01 / Frisch M. J., Trucks G. W., Schlegel H. B. et al. − Wallingford (CT) : Gaussian Inc., 2004.
7. Lee, C. Development of the Colle−Salvetti correlation−energy formula into a functional of the electron density / C. Lee, W. Yang, R. G. Parr // Phys. Rev. B. − 1988. − V. 37, Iss. 2. − P. 785—789.
8. Benson, S. W. / S. W. Benson // J. Chem. Educ. − 1965. − V. 42. − P. 502.
9. Baroni, S. / S. Baroni, A. D. Corso, S. D. Gironcoli // Quantum ESPRESSO, ver. 4.0.4.
10. Markwitz, A. Homogeneously size distributed Ge nanoclusters embedded in SiO2 layers produced by ion beam synthesis / A. Markwitz, L. Rebohle, H. Hofmeister, W. Skorupa // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. − 1999. − V. 147. − P. 361—366.
11. Nazarov, A. Trapping of negative and positive charges in Ge+ ion implanted silicon dioxide layers subjected to high−field electron injection / A. Nazarov, T. Gebel, L. Rebohle // J. Appl. Phys. − 2003. − V. 94. − P. 4440—4448.
Рецензия
Для цитирования:
Гуськова О.Г., Воротынцев М.В., Шоболов Е.Л., Абросимова Н.Д. ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(4):28-32. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-3-8
For citation:
Guskova O.P., Vorotynthev V.M., Shobolov E.L., Abrosimova N.D. Influence of Ge Ion Implantation into Silicon Dioxide/Silicon Structure on Charge Accumulation under Low–Energy Stationary Radiation. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):28-32. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-3-8