Для цитирования:
Гуськова О.Г., Воротынцев М.В., Шоболов Е.Л., Абросимова Н.Д. ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(4):28-32. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-3-8
For citation:
Guskova O.P., Vorotynthev V.M., Shobolov E.L., Abrosimova N.D. Influence of Ge Ion Implantation into Silicon Dioxide/Silicon Structure on Charge Accumulation under Low–Energy Stationary Radiation. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):28-32. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-3-8
Послать статью по эл. почте 