ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

О. Г. Гуськова; М. В. Воротынцев; Е. Л. Шоболов; Н. Д. Абросимова

Поиск

Листать

Помощь

Личный кабинет

Язык

Инструменты статьи

Поиск ссылок

Послать статью по эл. почте (Необходимо имя пользователя (логин))

Связаться с автором (Необходимо имя пользователя (логин))

Об авторах

О. Г. Гуськова
ФГУП «Федеральный научно–производственный центр Научно–исследовательский институт измерительных систем им. Ю. Е. Седакова»
Россия

инженер−технолог 3 кат., ФГУП «Федеральный научно−производственный центр научно−исследовательский институт измерительных систем им. Ю. Е. Седакова», 603137, г. Н. Новгород, ул. Тропинина, д. 47

М. В. Воротынцев
Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева
Россия

доктор хим. наук профессор, член научного совета РАН по физико−химическим основам полупроводникового материаловедения, Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева, 603950, г. Н. Новгород,ул. Минина, д. 24

Е. Л. Шоболов
ФГУП «Федеральный научно–производственный центр Научно–исследовательский институт измерительных систем им. Ю. Е. Седакова»
Россия

кандидат физ.−мат. наук, начальник сектора, ФГУП «Федеральный научно− производственный центр научно−исследовательский институт измерительных систем им. Ю. Е. Седакова», 603137, г. Н. Новгород, ул. Тропинина, д. 47.

Н. Д. Абросимова
ФГУП «Федеральный научно–производственный центр Научно–исследовательский институт измерительных систем им. Ю. Е. Седакова»
Россия

инженер− технолог 2 кат., ФГУП «Федеральный научно−производ ственный центр научно−исследовательский институт измерительных систем им. Ю. Е. Седакова», 603137, г. Н. Новгород, ул. Тропинина, д. 47

Облако тегов гетероструктура гетероструктуры ионная имплантация карбид кремния кремний кремний моделирование монокристалл направленная кристаллизация ниобат лития нитрид галлия первопринципные расчеты пористый кремний пористый кремний рекристаллизация рост кристаллов солнечные элементы теллурид висмута тонкие пленки фотолюминесценция электрические свойства

Загрузить этот файл PDF

Полноэкранный режим

Для цитирования: Гуськова О.Г., Воротынцев М.В., Шоболов Е.Л., Абросимова Н.Д. ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(4):28-32. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-3-8

For citation: Guskova O.P., Vorotynthev V.M., Shobolov E.L., Abrosimova N.D. Influence of Ge Ion Implantation into Silicon Dioxide/Silicon Structure on Charge Accumulation under Low–Energy Stationary Radiation. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):28-32. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-3-8

Обратные ссылки

Обратные ссылки не определены.

Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.

ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)

Логин
Пароль