Для цитирования:
Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Афанасьев М.С., Чучева Г.В. Высокочастотные вольт-фарадные характеристики мембранных структур на основе Ba1-xSrxTiO3. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2024;27(3):278-282. https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202405.586
For citation:
Belorusov D.A., Goldman E.I., Afanasyev M.S., Chucheva G.V. High-frequency C–V-characteristics of membrane structures based on Ba1-xSrxTiO3. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2024;27(3):278-282. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202405.586
Послать статью по эл. почте 