Для цитирования:
Леготин С.А., Юрчук С.Ю., Мурашев В.Н., Коновалов М.П., Таперо К.И., Сиделев А.В., Сиделева Е.П., Хрущев Н.С. Моделирование характеристик гамма-детекторов на основе кремниевых p-i-n-структур. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2024;27(3):232-244. https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202405.591
For citation:
Legotin S.A., Yurchuk S.Yu., Murashev V.N., Konovalov M.P., Tapero K.I., Sidelev A.V., Sideleva E.P., Khrushchev N.S. Modeling the characteristics of gamma detectors based on silicon p–i–n structures. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2024;27(3):232-244. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202405.591
Послать статью по эл. почте 