Полноэкранный режим

Для цитирования: Терехов В.А., Тетельбаум Д.И., Занин И.Е., Панков К.Н., Спирин Д.Е., Михайлов А.Н., Белов А.И., Ершов А.В. ДИФРАКЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ В СТРУКТУРАХ SiOx/Si С ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ УГЛЕРОДА. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(4):54-59. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-54-59

For citation: Terekhov Y.A., Tetelbaum D.I., Zanin I.E., Pankov K.N., Spirin D.E., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Ershov A.V. Diffraction Studies of the Formation of Silicon Nanocrystals in the SiOx/Si Compounds after Carbon Ion Implantation. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):54-59. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-54-59

Просмотров: 257

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)