Для цитирования:

Мазалов А.В., Сабитов Д.Р., Курешов В.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А., Акчурин Р.Х. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(3):43-46. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-43-46

For citation:

Mazalov A.V., Sabitov D.R., Kureshov V.A., Padalitsa A.A., Marmalyuk A.A., Akchurin R.Kh. RESEARCH OF ACCEPTOR IMPURITY THERMAL ACTIVATION IN GAN : MG EPITAXIAL LAYERS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(3):43-46. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-43-46