Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Данько В.А., Злобин С.А., Индутный И.З., Лисовский И.П., Литовченко В.Г., Михайловская Е.В., Шепелявый П.Е., Бегун Е. СВОЙСТВА ПОРИСТЫХ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР Si–КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ/SiOx, ПОЛУЧЕННЫХ ПО ФТОРОВОДОРОДНОЙ ТЕХНОЛОГИИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(4):52-57. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-52-57

For citation:


Dan’ko V.A., Zlobin S.O., Indutnyi I.Z., Lisovskyy I.P., Litovchenko V.G., Michailovska K.V., Shepeliavyi P.E., Begun E.V. PROPERTIES OF SI QUANTUM DOTS/SIOX POROUS FILM STRUC- TURES SYNTHESIZED USING THE HYDROFLUORIC TECHNOLOGY. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(4):52-57. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-52-57



Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)