Енишерлова, К. Л., АО «НПП «Пульсар», Россия

• Том 21, № 3 (2018) - Физические свойства и методы исследования
  Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT
  Аннотация  PDF (Rus)
• Том 22, № 3 (2019) - Эпитаксиальные слои и многослойные композиции
  Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ
  Аннотация