Енишерлова, К. Л., АО «НПП «Пульсар», Россия

• Том 21, № 3 (2018) - Физические свойства и методы исследования
  Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT
  Аннотация  PDF (Rus)
• Том 24, № 2 (2021) - Эпитаксиальные слои и многослойные композиции
  Влияние особенностей PECVD процессов осаждения SiNx на электрические параметры структур SiNx/AlGaN/GaN
  Аннотация  PDF (Rus)
• Том 25, № 3 (2022) - Эпитаксиальные слои и многослойные композиции
  Влияние обработки в азотной плазме на электрические параметры гетероструктур AlGaN/GaN
  Аннотация  PDF (Rus)