Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Информация об авторе

Енишерлова, К. Л., АО «НПП «Пульсар», Россия

  • Том 21, № 3 (2018) - Физические свойства и методы исследования
    Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT
    Аннотация  PDF (Rus)
  • Том 22, № 3 (2019) - Эпитаксиальные слои и многослойные композиции
    Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ
    Аннотация


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)