Том 21, № 3 (2018)

https://doi.org/10.17073/1609-3577-2018-3

Весь выпуск

Посмотреть или загрузить весь выпуск PDF

Содержание

Структура и электрические свойства легированных железом керамик на основе оксида цинка PDF (Rus)
А. В. Пашкевич, А. К. Федотов, Ю. В. Касюк, Л. А. Близнюк, Ю. А. Федотова, Н. А. Басов, А. С. Федотов, И. А. Свито, Е. Н. Подденежный 133-145

Материаловедение и технология. Диэлектрики

Особенности проявления поверхностных электрохимических процессов в сегнетоэлектрических кристаллах с низкотемпературными фазовыми переходами PDF (Rus)
Н. С. Козлова, Е. В. Забелина, М. Б. Быкова, А. П. Козлова 146-155
Влияние фазового состава и локальной кристаллической структуры на транспортные свойства твердых растворов ZrO2—Y2O3 и ZrO2—Gd2O3 PDF (Rus)
Е. А. Агаркова, М. А. Борик, В. Т. Бублик, Т. В. Волкова, А. В. Кулебякин, И. Е. Курицина, Н. А. Ларина, Е. Е. Ломонова, Ф. О. Милович, В. А. Мызина, П. А. Рябочкина, Н. Ю. Табачкова 156-165

Материаловедение и технология. Магнитные материалы

Влияние замещения алюминием на поле эффективной магнитной анизотропии и степень магнитной текстуры анизотропных поликристаллических гексагональных ферритов бария и стронция для подложек микрополосковых приборов СВЧ–электроники PDF (Rus)
С. В. Щербаков, А. Г. Налогин, В. Г. Костишин, А. А. Алексеев, Е. А. Белоконь, И. М. Исаев 166-174

Наноматериалы и нанотехнологии

Расчет теплопереноса в наноразмерных гетероструктурах PDF (Rus)
К. К. Абгарян, И. С. Колбин 175-181

Физические свойства и методы исследования

Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT PDF (Rus)
К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев 182-193
Владимир Михайлович НОВОТОРЦЕВ (1946—2018) PDF (Rus)
  194-194


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального
образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Адрес: 119049, г. Москва, Ленинский проспект, д. 4 
Телефон: +7 (495) 638-45-31
Email: met.misis@inbox.ru

создано и поддерживается NEICON
(лаборатория Elpub)
powered by PKP OJS