Полноэкранный режим

Для цитирования: Енишерлова К.Л., Медведев Б.К., Темпер Э.М., Корнеев В.И. Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2018;21(3):182-193. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2018-3-182-193

For citation: Enisherlova K.L., Medvedev B.K., Temper E.M., Korneev V.I. Influence of technological factors on the characteristics of ohmic contacts of powerful AlGaN/GaN/SiC HEMT. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2018;21(3):182-193. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2018-3-182-193

Просмотров: 21

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)