ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ИНФРАКРАСНОЙ ФУРЬЕ–СПЕКТРОСКОПИИ
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-3-194-198
Аннотация
Реализована методика неразрушающего бесконтактного контроля толщины нелегированного автоэпитаксиального слоя InAs на сильнолегированной подложке методом инфракрасной Фурье−спектроскопии. Исследуемые слои были выращены методом хлоридно−гидридной эпитаксии в вертикальном реакторе. В основе методики лежит анализ интерференционной картины, наблюдаемой в инфракрасных спектрах отражения. Выработаны рекомендации по выбору спектрального диапазона измерений, оптимального для структур InAs. Выбор обусловлен минимальным изменением показателя преломления InAs и особенностями отражения сильнолегированной подложки. Показано хорошее совпадение результатов измерений по развитой методике с данными металлографического анализа.
Об авторах
О. С. Комков
Санкт–Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ленина, ул. Профессора Попова, д. 5, Санкт–Петербург, 197376, Россия
Россия
Россия
кандидат физ.−мат. наук, доцент каф. «Микро−и наноэлектроники»
Д. Д. Фирсов
Санкт–Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ленина, ул. Профессора Попова, д. 5, Санкт–Петербург, 197376, Россия
Россия
Россия
аспирант
Е. А. Ковалишина
ОАО «Центральный научно−исследовательский институт «Электрон» просп. Тореза, д. 68, Санкт–Петербург, 194223, Россия
Россия
Россия
аспирант, инженер−химик 2−й категории
А. С. Петров
ОАО «Центральный научно−исследовательский институт «Электрон» просп. Тореза, д. 68, Санкт–Петербург, 194223, Россия
Россия
Россия
кандидат техн. наук, начальник лаборатории НПКО−65
Список литературы
1. Ковтонюк, Н. Ф. Видиконы, чувствительные в средней инфракрасной области спектра, с фотомишенями на структурах полупроводник—диэлектрик / Н. Ф. Ковтонюк, В. П. Мисник, А. В. Соколов // Прикладная физика. − 2005. − No 6. − C. 134— 140.
2. Грама, Д. М. Автоэпитаксиальные структуры арсенида индия для ИК ФПУ. / Д. М. Грама, А. С. Петров, С. Д. Попов, Р. М. Степанов, Е. В. Чилаева // Изв. СПбГЭТУ ЛЭТИ. − 2008. −No 7.−C.13—18.
3. Ковалишина,Е.А.Химико−механическаяполировкаподложекавтоэпитаксиальныхструктурарсенидаиндия/Е. А. Ковалишина,Е.А.Нечаев,А.С.Петров//Физикаихимияобработки материалов. − 2013. − No 1. − C. 47—51.
4. Борн,М.Основыоптики/М.Борн,Э.Вольф.−М.:Наука, 1973. − 720 с.
5. Пихтин,А.Н.Рефракциясветавполупроводниках:Обзор / А. Н. Пихтин, А. Д. Яськов // Физика и техника полупроводников. − 1988. − Т. 22, вып. 6. − С. 969—991.
6. Пихтин, А. Н. Квантовая и оптическая электроника / А. Н. Пихтин. − М. : Абрис, 2012. − 656 с.
7. Батавин,В.В.Измерениепараметровполупроводниковых материаловиструктур/В.В.Батавин,Ю.А.Концевой,Ю. В. Федорович. − М. : Радио и связь, 1985. − 264 с.
8. Комков, О. С. Определение толщины и спектральной зависимости показателя преломления эпитаксиальных слоев AlxIn1−xSb из спектров отражения / О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, А. Н. Семенов, Б. Я. Мельцер, С. И. Трошков, А. Н. Пихтин, С. В. Иванов // Физика и техника полупроводников. − 2013. − Т. 47, вып. 2. − С. 264—269.
Рецензия
Для цитирования:
Комков О.С., Фирсов Д.Д., Ковалишина Е.А., Петров А.С. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ИНФРАКРАСНОЙ ФУРЬЕ–СПЕКТРОСКОПИИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(3):194-198. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-3-194-198
For citation:
Komkov O.S., Firsov D.D., Kovalishina E.A., Petrov A.S. Determination of Indium Arsenide Autoepitaxial Layer Thickness by Fourier–Transform Infrared Spectroscopy. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(3):194-198. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-3-194-198
Просмотров:
1247
Послать статью по эл. почте 