Полноэкранный режим

Для цитирования: Гавва В.А., Гусев А.В., Котерева Т.В. ДИАГНОСТИКА ПРИМЕСНОГО СОСТАВА ВЫСОКОЧИСТОГО МОНОСИЛАНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ АНАЛИЗА КОНТРОЛЬНОГО МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(4):240-245. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-4-240-245

For citation: Gavva V.A., Gusev A.V., Kotereva T.V. Diagnostics of Impurity Composition of High–Pure Monosilane by Results of the Analysis of a Test Silicon Single Crystal. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(4):240-245. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-4-240-245

Просмотров: 181

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)